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TIP111G详细

TRANS DARL NPN 2A 80V TO-220AB

TIP111G厂商

ON Semiconductor

TIP111G参数

包装:管件,系列:-,晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A,电压 - 集射极击穿（最大值）:80V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:2mA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V,功率 - 最大值:2W,频率 - 跃迁:-,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

TIP111G供应商

北京智拓宏图通信技术有限公司
深圳市烨鑫微电子有限公司
深圳市得天时实业有限公司
深圳市世雄电子有限公司
深圳市佰诺德电子有限公司
深圳市中意法电子科技有限公司
深圳市金芯阳科技有限公司

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